توضیحات
BUK9237
حالت تقویت کانال N سطح منطقی ترانزیستور اثر میدانی (FET) در پلاستیک
بسته با استفاده از فناوری TrenchMOS. این محصول طراحی و واجد شرایط است
استاندارد AEC مناسب برای استفاده در کاربردهای حیاتی خودرو.
http://www.datasheet.hk/view_download.php?id=1854154&file=0428%5Cbuk9237-55a_5226090.pdf
بازدیدها: 5
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.