توضیحات
BUK7L11
توضیحات کلی
ترانزیستور اثر میدانی (FET) در سطح استاندارد حالت ارتقای کانال N در یک پلاستیک
بسته با استفاده از فناوری TrenchMOS. دستگاه ها شامل مقاومت های دروازه داخلی و
دیودهای TrenchPLUS برای بستن و حفاظت از تخلیه الکترواستاتیک (ESD). این
محصول با استاندارد AEC مناسب برای استفاده در آن طراحی و واجد شرایط شده است
برنامه های کاربردی حیاتی خودرو
1.2 ویژگی ها و مزایا
تلفات رسانایی کم به دلیل کم
مقاومت دولتی
مطابق با Q101
کاهش تعداد اجزا به دلیل
مقاومت دروازه یکپارچه
بازدیدها: 2
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.