توضیحات
ایسی70F3379M2(A)
1. احتیاط در برابر ESD برای نیمه هادی ها
میدان الکتریکی قوی، هنگامی که در معرض دستگاه MOS قرار می گیرد، می تواند باعث تخریب اکسید گیت شود و
در نهایت عملکرد دستگاه را کاهش می دهد. باید اقداماتی برای توقف تولید الکتریسیته ساکن انجام شود
تا جایی که ممکن است، و پس از وقوع یک بار آن را به سرعت از بین ببرید. کنترل محیطی
باید کافی باشد وقتی خشک شد باید از مرطوب کننده استفاده کرد. توصیه می شود از مصرف خودداری شود
عایق هایی که به راحتی الکتریسیته ساکن ایجاد می کنند. دستگاه های نیمه هادی باید ذخیره و حمل شوند
در یک ظرف ضد الکتریسیته ساکن، کیسه محافظ ساکن یا مواد رسانا. تمامی تست ها و اندازه گیری ها
ابزارها از جمله میز کار و کف باید زمین شوند. اپراتور باید با استفاده از زمین متصل شود
مچ بند. دستگاه های نیمه هادی را نباید با دست خالی لمس کرد. اقدامات احتیاطی مشابهی لازم است
برای بردهای PW با دستگاه های نیمه هادی روی آن گرفته شود.
اطلاعات تکمیلی در دیتا شیت قطعه
بازدیدها: 26
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.