توضیحات
BUK6226
ترانزیستور اثر میدانی (FET)
در یک بسته بندی پلاستیکی با استفاده از فناوری پیشرفته TrenchMOSدرایو گیت سطح متوسط بهبود کانال N.
این محصول با استاندارد مناسب AEC Q101 برای استفاده در کاربردهای خودرویی با کارایی بالا طراحی و واجد شرایط شده است.
https://datasheetspdf.com/datasheet/BUK6226-75C.html
بازدیدها: 1
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.